華為：申請(qǐng)Micro LED顯示面板專利，可增大發(fā)光區(qū)面積提升光效

據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種Micro LED顯示面板、顯示設(shè)備及制造方法“，公開號(hào)：CN117690946A，申請(qǐng)日期為2022年9月。該方案可以增大發(fā)光區(qū)面積，提升光效。不需要巨量轉(zhuǎn)移，提高合格率。防止光串?dāng)_，利于電流分布均勻。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

具體專利摘要內(nèi)容如下：本申請(qǐng)公開了一種Micro LED顯示面板、顯示設(shè)備及制造方法，包括多個(gè)顯示結(jié)構(gòu)，每個(gè)顯示結(jié)構(gòu)包括：第一電極、第二電極、第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和發(fā)光層；相鄰的顯示結(jié)構(gòu)的第一電極、第一半導(dǎo)體層和發(fā)光層相互獨(dú)立；第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層分別位于發(fā)光層的兩側(cè)表面；第一電極位于第一半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的一側(cè)，第二電極位于第二半導(dǎo)體層背離發(fā)光層的一側(cè)；每個(gè)顯示結(jié)構(gòu)的發(fā)光層對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)；第二電極圍繞每個(gè)像素區(qū)走線，第二電極為各個(gè)像素區(qū)的公共電極，且為相鄰像素區(qū)之間的金屬擋墻。

長(zhǎng)虹電子：公布兩項(xiàng)Micro LED發(fā)明專利

3月12日，長(zhǎng)虹電子與啟睿克科技公布了“Micro LED表面結(jié)構(gòu)及制備方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)： CN117693216A 。

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為了提高量子點(diǎn)光提取效率及準(zhǔn)直效果，該專利提供了Micro LED表面結(jié)構(gòu)及制備方法，通過(guò)在Micro LED芯片表面構(gòu)造金屬納米環(huán)結(jié)構(gòu)，當(dāng)納米環(huán)結(jié)構(gòu)參數(shù)與中心量子點(diǎn)光波長(zhǎng)相匹配時(shí)，會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的準(zhǔn)直效應(yīng)，可實(shí)現(xiàn)發(fā)出光線的定向準(zhǔn)直功能；底部金屬反射器收集量子點(diǎn)光源向下發(fā)出的光線，并反射至芯片發(fā)光方向，增加了發(fā)光方向的光子數(shù)，從而大大增加了量子點(diǎn)Micro LED芯片在垂直方向上的光提取效率。

另外，3月15日，長(zhǎng)虹電子與啟睿克科技共同公開了一項(xiàng)發(fā)明專利，名為“一種基于Micro LED的屏幕指紋識(shí)別裝置和方法”，申請(qǐng)公布號(hào)：CN117711037A。

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為了解決目前的Micro LED的屏幕指紋識(shí)別需要設(shè)置額外的傳感器，產(chǎn)生額外的光口比的問(wèn)題，以及需要用戶觸摸指定的區(qū)域進(jìn)行解鎖，操作不簡(jiǎn)便的問(wèn)題；

該專利發(fā)明提供一種基于Micro LED屏幕的指紋識(shí)別裝置，當(dāng)需要指紋識(shí)別功能時(shí)，觸摸感應(yīng)模塊確認(rèn)手指的按壓位置，手指下方的第一LED芯片用作指紋識(shí)別的光源，與第二LED芯片連接的像素驅(qū)動(dòng)電路測(cè)量第一LED芯片發(fā)射的光線經(jīng)過(guò)指紋凸起和凹陷處的反射光在第二LED芯片上產(chǎn)生的光電流的電壓差，確定指紋的形狀；指紋識(shí)別功能完成，Micro LED屏幕恢復(fù)正常顯示狀態(tài)。

康佳：Micro LED保護(hù)膜、結(jié)構(gòu)、顯示裝置及電子設(shè)備

3月12日，深圳康佳電子科技有限公司“Micro LED保護(hù)膜、Micro LED結(jié)構(gòu)、顯示裝置及電子設(shè)備”的發(fā)明專利進(jìn)入授權(quán)階段。

該發(fā)明專利利用半透膜邊緣的吸光材料吸收大角度的光線，有效改善了拼接縫亮線問(wèn)題。

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具體專利摘要內(nèi)容如下：本發(fā)明公開了一種Micro LED保護(hù)膜、Micro LED結(jié)構(gòu)、顯示裝置及電子設(shè)備，Micro LED保護(hù)膜包括吸光材料以及單層半透膜或復(fù)合層半透膜，單層半透膜的邊緣包圍有吸光材料，復(fù)合層半透膜包括由內(nèi)而外依次疊置的多層折射率相同或不同的半透膜，復(fù)合層半透膜的邊緣包圍有吸光材料。


兆馳半導(dǎo)體：一種Micro LED巨量轉(zhuǎn)移方法

3月15日，兆馳半導(dǎo)體的發(fā)明專利“一種Micro LED巨量轉(zhuǎn)移方法”公布，申請(qǐng)公布號(hào)CN117712241A。該技術(shù)無(wú)需高精度設(shè)計(jì)，可根據(jù)芯片的不同高度進(jìn)行黏附轉(zhuǎn)移，且能提高轉(zhuǎn)移速率，并保證轉(zhuǎn)移的高良率。

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具體專利摘要內(nèi)容如下：本發(fā)明提供一種Micro LED巨量轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟：提供一襯底，并在襯底上制備芯片；提供一基板，并在基板一面設(shè)置鍵合膜；將基板與襯底進(jìn)行臨時(shí)鍵合；對(duì)芯片進(jìn)行襯底剝離；在芯片遠(yuǎn)離基板的一側(cè)設(shè)置柱體；提供一轉(zhuǎn)移頭，將轉(zhuǎn)移頭的第三粘合部貼合柱體，以基于各柱體的高度差，同時(shí)將多個(gè)第一芯片或第二芯片或第三芯片從基板轉(zhuǎn)移至電路板。通過(guò)采用光固化樹脂，選擇性固化出不同高度的芯片底座，并基于UV解粘膠的光照降低芯片與基板之間的粘性，最后基于高粘度的轉(zhuǎn)移頭對(duì)芯片進(jìn)行批量轉(zhuǎn)移。

廈門大學(xué)：提升Micro LED光提取效率

3月15日，廈門大學(xué)公布了一項(xiàng)發(fā)明專利，名為“一種提升光提取效率的Micro LED器件結(jié)構(gòu)及制作方法”。申請(qǐng)公布號(hào)：CN117712263A。該發(fā)明通過(guò)減小電流密度差異，提高電子在材料中的遷移率，以改善電流在器件中的分布，降低電流密度，并減緩電流擁擠效應(yīng)。從而大幅度提升器件性能。

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具體來(lái)看，該發(fā)明公開了一種提升光提取效率的Micro LED器件結(jié)構(gòu)及制作方法，其結(jié)構(gòu)的外延層由背面至正面按序包括n-GaN層、MQW和p-GaN層，并通過(guò)由正面蝕刻至n-GaN層形成發(fā)光臺(tái)面，第一電流擴(kuò)展層設(shè)于發(fā)光臺(tái)面的p-GaN層上，p電極和n電極分別設(shè)于第一電流擴(kuò)展層和n-GaN層上，鈍化層、反射層和絕緣層按序覆蓋器件結(jié)構(gòu)的正面，p電極和n電極分別通過(guò)貫穿鈍化層、反射層和絕緣層的鍵合金屬引出；n-GaN層在發(fā)光臺(tái)面區(qū)域通過(guò)蝕刻形成若干通孔，第二電流擴(kuò)展層填充于通孔中。