天眼查APP顯示，近日，聚燦光電科技股份有限公司申請的“一種提升LED芯片亮度的結(jié)構(gòu)”專利公布。
摘要顯示，本發(fā)明公開了一種提升LED芯片亮度的結(jié)構(gòu)，涉及LED芯片領(lǐng)域，尤其涉及通過柵格化光學(xué)隔離層并通過DBR與柵格化處理的光學(xué)隔離層相結(jié)合，增強光提取效率，減少光損耗的技術(shù)方案。該結(jié)構(gòu)包括：LED芯片中的量子阱層；位于量子阱層上方的透明導(dǎo)電層和光學(xué)隔離層；位于光學(xué)隔離層上的分布式布拉格反射鏡；其中，光學(xué)隔離層經(jīng)過柵格化處理，形成規(guī)則的光柵結(jié)構(gòu)，以減少光吸收；通過柵格結(jié)構(gòu)與DBR的結(jié)合增大了反射面積。與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明實現(xiàn)了對光吸收的有效抑制和光反射效率的提升。
摘要顯示，本發(fā)明公開了一種提升LED芯片亮度的結(jié)構(gòu)，涉及LED芯片領(lǐng)域，尤其涉及通過柵格化光學(xué)隔離層并通過DBR與柵格化處理的光學(xué)隔離層相結(jié)合，增強光提取效率，減少光損耗的技術(shù)方案。該結(jié)構(gòu)包括：LED芯片中的量子阱層；位于量子阱層上方的透明導(dǎo)電層和光學(xué)隔離層；位于光學(xué)隔離層上的分布式布拉格反射鏡；其中，光學(xué)隔離層經(jīng)過柵格化處理，形成規(guī)則的光柵結(jié)構(gòu)，以減少光吸收；通過柵格結(jié)構(gòu)與DBR的結(jié)合增大了反射面積。與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明實現(xiàn)了對光吸收的有效抑制和光反射效率的提升。
