設(shè)為首頁(yè)  |    |  廣告服務(wù)  |  客服中心
當(dāng)前位置: 首頁(yè) » 資訊 » 新品速遞 » 正文

國(guó)星光電研究院推出新能源領(lǐng)域用KS系列SiC MOSFET

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2022-11-07  瀏覽次數(shù):1437
核心提示:劍指第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,國(guó)星光電產(chǎn)品布局再完善!近日,國(guó)星光電研究院乘勢(shì)推出以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS系列產(chǎn)品,可應(yīng)用
劍指第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,國(guó)星光電產(chǎn)品布局再完善!近日,國(guó)星光電研究院乘勢(shì)推出以portant;">TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS系列產(chǎn)品,可應(yīng)用于移動(dòng)儲(chǔ)能、光伏逆變、新能源汽車充電樁等場(chǎng)景,為新能源市場(chǎng)再添實(shí)力猛將!


 

SiC MOSFET里的“星”封裝

+

國(guó)星光電NSiC-KS


隨著工業(yè)4.0時(shí)代及新能源汽車的快速普及,工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開(kāi)關(guān)損耗、功率密度等性能的要求也不斷提高,新型高頻器件SiC MOSFET因其耐壓高、導(dǎo)通電阻低、開(kāi)通損耗小等優(yōu)異特點(diǎn),正以迅猛發(fā)展之勢(shì)搶占新能源市場(chǎng)。

 

國(guó)星光電憑借領(lǐng)先的封裝技術(shù)優(yōu)勢(shì),通過(guò)科學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì),采用帶輔助源極管腳的TO-247-4L作為NSiC-KS系列產(chǎn)品的封裝形式,并將之應(yīng)用于SiC MOSFET上,取得分立器件在開(kāi)關(guān)損耗、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)等方面的新突破。


國(guó)星光電NSiC-KS亮點(diǎn)在何處?

比一比,就知道


以國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體 NSiC系列 1200V 80mΩ的SiC MOSFET產(chǎn)品為例,一起來(lái)對(duì)比常規(guī)TO-247-3L封裝和以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS封裝在“封裝設(shè)計(jì)”“開(kāi)通損耗”“開(kāi)關(guān)損耗”及“開(kāi)關(guān)頻率及誤啟風(fēng)險(xiǎn)”四個(gè)方面的差異。


快速閱讀,先看結(jié)論:

采用NSiC-KS封裝的SiC MOSFET,避免了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用源極線路,實(shí)現(xiàn)了這兩個(gè)回路的解耦,使得NSiC-KS封裝的SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗、開(kāi)通損耗均明顯降低,開(kāi)關(guān)頻率更快,寄生電感與誤開(kāi)啟風(fēng)險(xiǎn)更低。
 


 詳 情 點(diǎn) 擊 



查看TO-247-3L封裝 VS NSiC-KS封裝對(duì)比

 

 01.封裝設(shè)計(jì) 

NSiC-KS系列產(chǎn)品的封裝形式相對(duì)于TO-247-3L,NSiC-KS系列產(chǎn)品多了一個(gè)S極管腳,其可稱為輔助源極或者開(kāi)爾文源極腳KS(Kelvin-Source)。

 

02.開(kāi)通損耗

■TO-247-3L封裝:

在SiC MOSFET開(kāi)通過(guò)程中,漏極電流ID迅速上升,較高的電流變化率在功率源極雜散電感Lsource上產(chǎn)生較大的正壓降LSource*(dID)/dt(上正下負(fù)),該壓降使得SiC MOSFET芯片上的門極電壓VGS_real在開(kāi)通的瞬間不是驅(qū)動(dòng)電壓的數(shù)值,而是減掉Lsource上產(chǎn)生的電壓,所以,開(kāi)通瞬間的門極電壓大幅下降,導(dǎo)致ID上升速度減慢,Eon因此而增大。


 

 ■NSiC-KS封裝:

基于開(kāi)爾文源極腳(KS)的存在,門極回路中沒(méi)有大電流穿過(guò),沒(méi)有來(lái)自主功率回路的擾動(dòng),芯片的門極能正確地感受到驅(qū)動(dòng)電壓,從而降低了開(kāi)通損耗。經(jīng)過(guò)實(shí)測(cè)對(duì)比,NSiC-KS封裝較之TO-247-3L封裝,開(kāi)通損耗可明顯降低約55%。

 

 03.開(kāi)關(guān)損耗

由于NSiC-KS封裝開(kāi)爾文源極腳(KS)可以分離電源源極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳,可減少電感分量的影響,讓SiC MOSFET的高速開(kāi)關(guān)性能得以充分發(fā)揮。經(jīng)過(guò)實(shí)測(cè)對(duì)比,NSiC-KS封裝較之TO-247-3L封裝,開(kāi)關(guān)損耗降低約35%。

 

 04.開(kāi)關(guān)頻率及誤啟風(fēng)險(xiǎn)

■開(kāi)啟時(shí):
TO-247-3L封裝在漏-源間通過(guò)大電流時(shí),因源極引腳的電感效應(yīng),會(huì)降低柵極開(kāi)啟電壓,降低了導(dǎo)通速度。 

NSiC-KS封裝中,由于增加了開(kāi)爾文源極腳(KS),降低了源極引腳電感效應(yīng),通過(guò)SiC  MOSFET的VGS電壓幾乎等于柵極驅(qū)動(dòng)電壓VDRV。因此,如下圖所示:與TO-247-3L封裝相比,NSiC-KS封裝有助于提高SiC  MOSFET開(kāi)關(guān)速度。 
 


■關(guān)斷時(shí):

NSiC-KS封裝中柵極回路沒(méi)有大電流流過(guò),基本不會(huì)產(chǎn)生反向感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)VLS,因而受到極低的功率回路的串?dāng)_,減小了關(guān)斷時(shí)VGS電壓的振蕩幅度,降低誤開(kāi)啟的風(fēng)險(xiǎn)。

國(guó)星光電NSiC-KS SiC MOSFET產(chǎn)品


+

多款選擇,因需而至


為滿足市場(chǎng)需求,國(guó)星光電NSiC-KS SiC MOSFET產(chǎn)品有多款型號(hào)選擇。同時(shí),基于公司具備完整的SiC分立器件生產(chǎn)線,國(guó)星光電可根據(jù)客戶需要,提供高性能、高可靠性、高品質(zhì)的產(chǎn)品技術(shù)解決方案。


厚積薄發(fā),走得更遠(yuǎn)。國(guó)星光電持續(xù)實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略,走深走實(shí)“三代半封測(cè)”領(lǐng)域,積極打破關(guān)鍵技術(shù)壁壘,為我國(guó)第三代半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化提供更多高品質(zhì)的“星”方案,注入磅礴“星”力量。


 
【免責(zé)聲明】本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn),與搜搜LED網(wǎng)無(wú)關(guān)。本網(wǎng)站對(duì)文中所包含內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性或完整性不作任何保證或承諾,請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。所有投稿或約稿,一經(jīng)采用,即被視為完全授權(quán),本網(wǎng)有權(quán)在不通知作者的情形下,在本傳媒旗下平臺(tái)選擇調(diào)用。
【版權(quán)聲明】「搜搜LED」網(wǎng)所刊原創(chuàng)內(nèi)容之著作權(quán)屬于「搜搜LED」網(wǎng)站所有,包括在標(biāo)題后表明(本刊)字的均屬本刊原創(chuàng)并已刊登雜志的文章,本著信息共享與尊重原創(chuàng)作者的原則,轉(zhuǎn)載必須注明來(lái)源:搜搜LED網(wǎng)或《LED照明世界》或《LED屏顯世界》,如有發(fā)現(xiàn)在未注明來(lái)源的情況下復(fù)制、轉(zhuǎn)載或出版,將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
 
[ 資訊搜索 ]  [ ]  [ 告訴好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 關(guān)閉窗口 ]

 
在線評(píng)論
 
推薦圖文
推薦資訊
點(diǎn)擊排行
最新資訊
LED網(wǎng) | 微峰會(huì) | 案例欣賞 | 微信 | 關(guān)于我們 | 聯(lián)系方式 | 使用協(xié)議 | 版權(quán)隱私 | 北京InfoComm China 2024展會(huì) | 網(wǎng)站地圖 | 排名推廣 | 廣告服務(wù) | 積分換禮 | 網(wǎng)站留言 | RSS訂閱 | 粵ICP備09180418號(hào)

©2014搜搜LED網(wǎng)版權(quán)所有  >

 
頂部微信二維碼微博二維碼
底部
掃描微信二維碼關(guān)注我為好友
掃描微博二維碼關(guān)注我為好友