中國加快研制“中國芯片”的腳步。彭博社報(bào)導(dǎo)說，中國準(zhǔn)備制定一套全方位的新政策，2025年前將投放9.5萬億人民幣（1.4萬億美元）發(fā)展本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以應(yīng)對(duì)特朗普政府的限制。這項(xiàng)任務(wù)的優(yōu)先程度，“如同制造原子彈一樣”。

彭博社引述知情人士的消息：中國高層領(lǐng)導(dǎo)人將于10月開會(huì)，制定下一個(gè)五年的經(jīng)濟(jì)策略，全力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，提供科研、教育和融資等方面的支持，相關(guān)措施已納入《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃綱要》。

第三代半導(dǎo)體是由碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）等材料制造的芯片組，相較第1代半導(dǎo)體材料，具有更高效能與更高功率等優(yōu)勢(shì)，被廣泛用于5G通訊、軍用雷達(dá)和電動(dòng)車。

彭博社報(bào)道說：中國每年進(jìn)口的集成電路價(jià)值超過3000億美元，中國的半導(dǎo)體開發(fā)商依賴美國制造的芯片設(shè)計(jì)工具和專利、以及來自美國盟友的關(guān)鍵制造技術(shù)。不過，隨著美中關(guān)系惡化，中國企業(yè)愈來愈難從海外獲得組件和芯片制造技術(shù)。

華為9月15日起無法獲得臺(tái)積電等公司的芯片，因此增強(qiáng)了中國打造自主替代產(chǎn)品的急迫性。