日本Sanix公司最新太陽能逆變器采用科銳C2M SiC MOSFET,實現(xiàn)系統(tǒng)性能、高可靠性及性價比最佳組合
科銳(Nasdaq: CREE)宣布C2M系列1200V / 80mΩ SiC MOSFET被日本Sanix公司采用,應用在其新型9.9kW三相太陽能逆變器的設計之中,以用于日本快速增長的太陽能市場商業(yè)光伏系統(tǒng)建設。
Sanix公司總經(jīng)理Hiroshi Soga表示:“通過與科銳的合作并采用其SiC技術,Sanix公司能夠在競爭激烈的日本太陽能市場爭取更多的市場份額,科銳SiC MOSFET是Sanix公司實現(xiàn)高效率與散熱設計目標的關鍵。同我們原先考慮采用的Si超結MOSFET相比,SiC技術能夠降低我們逆變器電子中超過30%的損耗。除了大幅提升效率之外,科銳最新一代C2M SiC MOSFET的價格也很有競爭力,使得替代低電壓、低耐受度、低效率的Si MOSFET成為可能。
科銳1200V C2M 0080120D MOSFET應用在太陽能逆變器的主要電能轉換階段,具有更快的開關特性,開關損耗僅為相應的900V Si超結MOSFET的三分之一?其JSiC MOSFET通過大幅降低開關損耗,從而實現(xiàn)更低的總體系統(tǒng)能源損耗、更高的開關頻率、更低的工作溫度。所有這些優(yōu)點幫助提升轉換效率,同時降低了系統(tǒng)尺寸、重量、復雜度和熱管理要求。從系統(tǒng)層面來看,逆變器的性能得到了提升、成本得到了下降、使用壽命得到了延長。
科銳功率與射頻總經(jīng)理兼副總裁Cengiz Balkas表示:“我們很高興Sanix公司選擇科銳C2M 1200V SiC MOSFET技術應用在其新型9.9 kW太陽能逆變器中?其JSiC功率器件為光伏逆變器帶來效率、可靠性及成本等多方面的顯著優(yōu)勢,為Sanix公司提供關鍵競爭優(yōu)勢,從而幫助其在日本太陽能市場中繼續(xù)擴大市場份額。”
科銳C2M系列SiC MOSFET業(yè)經(jīng)證明可實現(xiàn)三倍于傳統(tǒng)Si技術的功率密度,目前可提供1200V和1700V、25 mΩ到1 Ω不同產品型號可選?其JC2M MOSFET可用于各種工業(yè)級功率型應用場合,自2013年3月推出以來市場需求就不斷增長?其JSiC MOSFET已經(jīng)實現(xiàn)量產,并為Sanix公司和其他光伏逆變器生產商,以及工業(yè)電源、輔助電源轉換器、電池充電器和馬達驅動生產制造商等供貨。
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