2月19日，廈門三安光電有限公司公開了發(fā)明名稱為“一種LED發(fā)光裝置及其制造方法”和“發(fā)光二極管器件及其制備方法”兩項(xiàng)發(fā)明專利。

專利一：一種LED發(fā)光裝置及其制造方法

其中，發(fā)明名稱為“一種LED發(fā)光裝置及其制造方法”的發(fā)明專利，公開號(hào)為CN112382716A，申請(qǐng)日期為2020年10月28日。申請(qǐng)（專利權(quán)）人：廈門三安光電有限公司；發(fā)明人為：江賓、林素慧、曾煒竣、彭康偉、曾明俊、何安和、劉小亮。

據(jù)了解，LED芯片因?yàn)槠鋬?yōu)良的性能得到快速發(fā)展。其中的紫外光LED特別是深紫外光LED的巨大的應(yīng)用價(jià)值，尤其是在殺菌消毒方面的應(yīng)用，引起了人們的高度關(guān)注，成為了新的研究熱點(diǎn)。UV LED用于殺菌、消毒時(shí)，其使用環(huán)境大部分濕氣較嚴(yán)重，這就對(duì)UVC LED的封裝提出了更高的要求。

該項(xiàng)發(fā)明提供一種LED發(fā)光裝置及其制造方法，該LED發(fā)光裝置包括基板，所述基板具有相對(duì)設(shè)置的第 一表面和第二表面，所述第 一表面上設(shè)置有導(dǎo)電線路層；LED芯片，所述LED芯片通過所述導(dǎo)電線路層固定在所述基板的第 一表面上；無機(jī)密封層，所述無機(jī)密封層覆蓋所述LED芯片的表面、側(cè)壁以及所述基板的第一表面。

上述無機(jī)密封層可以是SiO2和/或HfO2等一層或多層氧化物層。該無機(jī)密封層對(duì)UV或者UVC具有較高的透過率，并且即使長(zhǎng)時(shí)間在UV或者UVC的照射下，也不會(huì)出現(xiàn)老化或龜裂等問題。本發(fā)明在LED芯片的表面、側(cè)壁以及基板的第 一表面上同時(shí)形成上述無機(jī)密封層，能夠同時(shí)有效保護(hù)LED芯片及基板。

專利二：發(fā)光二極管器件及其制備方法

另一項(xiàng)發(fā)明名稱為“發(fā)光二極管器件及其制備方法”的專利，公開號(hào)為CN112382711A，申請(qǐng)日期為2020年10月19日。申請(qǐng)（專利權(quán)）人：廈門三安光電有限公司；發(fā)明人為：張博揚(yáng)、董浩。

發(fā)光二極管器件由于其較高的發(fā)光效率在很多領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用。為了提高發(fā)光二極管器件的出光效率，現(xiàn)有常見的發(fā)光二極管器件常在半導(dǎo)體外延層下方設(shè)置反射層，反射層的面積越大，其出光效率越高。但是，現(xiàn)有發(fā)光二極管器件一般均需對(duì)半導(dǎo)體外延層粗化處理，在粗化處理過程中，蝕刻液容易滲透至反射層，并刻蝕反射層，從而影響發(fā)光二極管器件的出光效率。

因此，如何在發(fā)光二極管器件具有較大反射層的情況下，避免反射層在后續(xù)形成粗糙部過程中被刻蝕，以提高發(fā)光二極管器件的出光效率，成為本領(lǐng)域亟需解決的問題。

此項(xiàng)申請(qǐng)公開了一種發(fā)光二極管器件及其制備方法，適用于發(fā)光二極管相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光二極管器件管包括基板、臺(tái)面結(jié)構(gòu)、功能層和保護(hù)層；臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括由第 一類型半導(dǎo)體層、有源層和第二類型半導(dǎo)體層順序排列所構(gòu)成的半導(dǎo)體外延層；第二類型半導(dǎo)體層位于靠近基板的一側(cè)，第 一類型半導(dǎo)體層背對(duì)基板的表面配置有粗糙部；功能層，包括用于與半導(dǎo)體外延層連接的第 一表面和用于與基板連接的第二表面；半導(dǎo)體外延層的面積小于功能層的面積；保護(hù)層配置為：至少覆蓋第 一表面除半導(dǎo)體外延層之外的區(qū)域。

本申請(qǐng)利用保護(hù)層遮擋住功能層除半導(dǎo)體外延層之外的區(qū)域，提高發(fā)光二極管器件中反射層的面積，進(jìn)而提高發(fā)光二極管器件的出光效率。