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美研究者制造出無電子阻擋層結(jié)構(gòu)的納米線LED

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2020-03-17  瀏覽次數(shù):2740
核心提示:據(jù)Compound Semiconductor報道,美國新澤西理工學(xué)院(New Jersey Institute of Technology ,NJIT)展示了高效的全彩和純白光LED
 據(jù)Compound Semiconductor報道,美國新澤西理工學(xué)院(New Jersey Institute of Technology ,NJIT)展示了高效的全彩和純白光LED,采用無電子阻擋層的InGaN/GaN(銦鎵氮/氮化鎵)納米線結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)利用了兩個附加的銦稼氮量子阱。

傳統(tǒng)方法是在元器件的活性區(qū)和p-氮化鎵層之間使用鋁氮化鎵電子束蝕刻(AlGaN EBL),但這個過程會形成一個高阻隔,對空穴注入過程產(chǎn)生不利影響。而NJIT提出的耦合量子阱方法可通過減少電子外溢來解決這個問題,電子外溢是導(dǎo)致效率下降的主要原因。

在該研究中,研究團(tuán)隊考慮了三種不同的InGaN/GaN納米線LED結(jié)構(gòu),其中,耦合量子阱方案中,在n-氮化鎵層與活性區(qū)之間有一個控制電子外溢的InGaN阱,而為了利用從活動區(qū)溢出的電子,第二個InGaN阱就存在于活性區(qū)與p-氮化鎵層之間,以減少p-氮化鎵層的電子損耗,并提供藍(lán)光發(fā)射來相對控制LED器件的白光發(fā)射。

NJIT電子與計算機(jī)工程系的研究團(tuán)隊表示,最終制成的無電子束蝕刻的納米線全彩和白光LED顯示出約58.5%的高內(nèi)量子效率,無熒光粉白光發(fā)射非常穩(wěn)定,且效率幾乎沒有下降。

該團(tuán)隊已在富氮條件下,使用射頻等離子輔助分子束外延(RF plasma-assisted MBE)法(Veeco Gen II MBE)在硅(111)襯底上生長InGaN/GaN納米線,并制備了表征器件。他們表示,最終制成的結(jié)構(gòu)展示了出色的電流電壓特性,與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比,新結(jié)構(gòu)具備漏電流小、輸出功率高、外量子效率高等特點。

未來,研究團(tuán)隊將致力于研究InGaN/GaN核殼納米線LED中耦合量子阱的集成,以提高載流子分布的均勻性,增強活動區(qū)的輻射復(fù)合。他們認(rèn)為,

這將有助于制備高外量子效率及高光輸出功率的核殼LED器件,并希望此類納米線LED將應(yīng)用到未來的Micro LED顯示器中。

據(jù)悉,該研究結(jié)果已于2020年1月發(fā)表在《光學(xué)快報》(Optics Express)期刊上。

 

 
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