Micro LED具備高對(duì)比、高速、廣視角、高亮度、高效率與作業(yè)時(shí)間長(zhǎng)等特性，相當(dāng)適合應(yīng)用在智能手表、抬頭式顯示器與 AR 頭戴式裝置等穿戴式產(chǎn)品上的顯示器應(yīng)用。

然而， Micro LED因體積微小，制作過程艱難，若使用常見的取放技術(shù)，將 Micro LED 一個(gè)個(gè)以小于 50 微米的間距擺放，是相當(dāng)困難的挑戰(zhàn)。該制程的設(shè)備價(jià)格不斐且在產(chǎn)量上仍充滿疑慮，隨著像素密度逐日攀升，取放技術(shù)恐無(wú)用武之地。

圖片來(lái)源：Plessey

因此，Plessey 持續(xù)開發(fā)硅基氮化鎵的技術(shù)，該技術(shù)將氮化鎵LED放置在硅基板而非傳統(tǒng)的藍(lán)寶石基板上。使用硅基氮化鎵技術(shù)，便能夠制造單晶 Micro LED，在單一芯片上裝載多個(gè)放射器。這種方法的優(yōu)勢(shì)在于能將像素間距縮小至8微米、且能放大LED放射體積，以及硅基氮化鎵表面的放射屬性所帶來(lái)的較高對(duì)比等。該技術(shù)適用的晶圓大小，已經(jīng)可輕松拉至 200nm以上，改善成本與良率。

此技術(shù)能夠剔除傳統(tǒng)取放式生產(chǎn)的弊病，又賦予Micro LED 滿足新興 AR 與顯示器應(yīng)用之苛刻要求的潛力。再者，采單晶設(shè)計(jì)讓Micro LED能直接放在CMOS硅背板上，輕松將 CMOS 電路導(dǎo)入高科技應(yīng)用。

Plessey具有目前唯一的單晶Micro LED方案，并陸續(xù)對(duì)外授權(quán)該技術(shù)，供合作伙伴生產(chǎn)客制化顯示器與光源使用，滿足各式各樣的消費(fèi)者電子應(yīng)用。