在報告中，他總結(jié)了LED市場和技術(shù)的發(fā)展，提及從應(yīng)用領(lǐng)域的變化，到光效的改進。另外還分析了LED市場的驅(qū)動力和阻礙。對過去三年的封裝價格趨勢進行了分析。整體處于一個下降的水平。他指出從2010年起，各種不同封裝形式的成本都在急劇下降，就能效而言，提升了近40%。由于LED材料成本下降空間已經(jīng)接近極限，所以未來就需要在封裝方式的創(chuàng)新以及新材料新技術(shù)的推動上下功夫。他指出在照明產(chǎn)品價值鏈中，中游封裝是降低成本最具可能性的環(huán)節(jié)。在這個基礎(chǔ)上，劉國旭博士詳細分析了LED封裝技術(shù)發(fā)展趨勢以及面臨的挑戰(zhàn)。
趨勢一：倒裝芯片焊接
目前，LED封裝用芯片80%是水平結(jié)構(gòu)，10%是垂直結(jié)構(gòu)，另外還有10%是倒裝芯片（藍寶石）。倒裝芯片具有諸多優(yōu)點，例如免金線，高可靠性、減少光吸收、無表明電極擋光、低熱阻等。
趨勢二：芯片級封裝
半導(dǎo)體LED封裝結(jié)構(gòu)進化與IC封裝趨勢一致，芯片級封裝，其封裝尺寸不超過芯片尺寸的1.2倍�？梢悦饨鹁�，免支架，結(jié)構(gòu)緊湊并且能夠降低成本。
趨勢三：集成封裝光引擎技術(shù)
優(yōu)勢：結(jié)構(gòu)簡單，直接交流電源驅(qū)動，無需交流直流轉(zhuǎn)換和電解質(zhì)電容，可靠性好，免去或減少外部PCB結(jié)構(gòu)，更節(jié)省空間；低驅(qū)動電流和更好地?zé)釋W(xué)性能；利用HV-LED：6V、9V、21V--驅(qū)動設(shè)計更加靈活；可調(diào)光；線性驅(qū)動，具有良好的功率因素和低總諧波失真；相對于開關(guān)模式的設(shè)計，具有更低的電磁干擾。
挑戰(zhàn)：調(diào)光至10%左右的頻閃解決。
趨勢四：LED燈絲
實現(xiàn)360度全周發(fā)光，模擬白熾燈設(shè)計；COB到條形COG，透明基底，藍寶石，透明氧化鋁，玻璃，甚至金屬，雙面熒光粉涂布，高壓小芯片加低電流驅(qū)動，無熱沉，低成本。
挑戰(zhàn)，目前以4W為主，如果要做到更高瓦數(shù)，溫度及可靠性都要進行相應(yīng)改變。
趨勢五：縮小暖白和冷白之間的光效差
冷白：CCT=4700-7000K，CRI=70-80
暖白：CCT=2500-3700K,CRI=80-90
對于暖白，市場占有率超過60%，暖白比冷白LED光效(lm/w)低25%左右。
挑戰(zhàn)：將差距縮小至10%左右；
使用高光效紅光LED或者新型銀光粉材料技術(shù)，改變芯片表面對藍光及紅綠光的吸收反射性。
趨勢六：高顯指，廣色域
對于商照，高顯指使色彩看起來充滿活力，紅色更加生動逼真。
CRI=95和R9=95（飽和紅色）可通過U或NUV+RGB Phosphor實現(xiàn)
提高顯色指數(shù)的其他方案：B+RG Phosphor,BR chip+G Phosphor
對于TV和Monitor,廣色域提供了豐富的色彩體驗
量子點可以實現(xiàn)NTSC105%和99%的高色域。
提高廣色域的其他方案：B+RG Phosphor,BR chip+G Phosphor。
趨勢七：量子點波長轉(zhuǎn)換器
Quantum Dots特性
半導(dǎo)體材料制成的納米晶體可界定各個尺寸電子-空穴對，實現(xiàn)不同波長（與熒光粉類似）
量子點直徑3-7nm�？蓪崿F(xiàn)全光譜的所有顏色，通過調(diào)整晶體微粒大小，峰值發(fā)射波長可調(diào)整到+/-1nm。
半峰寬窄度小于30nm.(熒光粉的半峰為60-80nm)�？蓽p少光散射，高量子效率在90%以上。
最后他總結(jié)道，將SSL推入主流，面臨的挑戰(zhàn)不僅僅是lm/w。更是lm/$。LED封裝企業(yè)應(yīng)該把握節(jié)約成本和技術(shù)革新的機會，LED封裝類型和封裝材料，決定了是否能夠使用更高的電流密度，和承受更高的環(huán)境溫度�；诘�?fàn)钚酒腃SP技術(shù)，有可能成為降低成本，改善性能的未來技術(shù)發(fā)展方向。
在對LED中游的封裝技術(shù)發(fā)展趨勢進行了全面的分析之后，他強調(diào)，LED封裝作為LED產(chǎn)業(yè)的中游領(lǐng)域，永遠不會消失，在未來的發(fā)展中需要通過技術(shù)的革新去滿足市場的需求。
