LED芯片分為四種：MB、GB、TS、AS芯片
一，MB芯片
定義：MB 芯片﹕Metal Bonding (金屬粘著）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品
特點(diǎn)：
1、 采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易.
1、 采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易.
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收.
3、導(dǎo)電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4 倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。4、底部金屬反射層﹐有利于光度的提升及散熱
5、尺寸可加大﹐應(yīng)用于High power 領(lǐng)域﹐eg : 42mil MB
二，GB芯片
定義：GB 芯片﹕Glue Bonding (粘著結(jié)合）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品
特點(diǎn)：
1﹕透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍(lán)寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底.
1﹕透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍(lán)寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底.
2﹕芯片四面發(fā)光﹐具有出色的Pattern。
3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)
4﹕雙電極結(jié)構(gòu)﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。
三、TS芯片
三、TS芯片
定義：TS 芯片﹕ transparent structure(透明襯底)芯片﹐該芯片屬于HP 的專利產(chǎn)品。
特點(diǎn)：1.芯片工藝制作復(fù)雜﹐遠(yuǎn)高于AS LED
2. 信賴性卓越
3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高
4.應(yīng)用廣泛
四、AS 芯片
定義﹕Absorbable structure (吸收襯底）芯片﹔經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力﹐臺(tái)灣LED光電業(yè)界對(duì)于該類型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業(yè)起步較晚﹐其亮度及可靠度與臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
定義﹕Absorbable structure (吸收襯底）芯片﹔經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力﹐臺(tái)灣LED光電業(yè)界對(duì)于該類型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業(yè)起步較晚﹐其亮度及可靠度與臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點(diǎn)： 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮
2. 信賴性優(yōu)良
3. 應(yīng)用廣泛
芯片種類
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機(jī)金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
4、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結(jié)構(gòu))GaAlAs/GaAs
5、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAs
6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAlAs
